美光芯片HBM3E封装12tbs带宽与铜硅混合键合工艺

时间：2025-10-21 13:52:49  编辑：翡翠原石网  访问：643

美光芯片HBM3E封装：1.2tbs带宽与铜硅混合键合工艺，封装技术方面也取得了重大突破，台湾工厂量产的HBM3E高带宽内存采用12层硅通...这一高性能源于两项核心技术：铜硅混合键合工艺将通孔间距缩小到35微米级别，...