半导体所在硅上In线的光致相变机理中取得新进展

时间：2025-05-22 08:41:22  编辑：翡翠原石网  访问：139

半导体所在硅上In线的光致相变机理中取得新进展，但是，激光脉冲辐照下的硅上In线在转变为半导体相变后其相干声子振荡快速衰减，...为了研究硅上In线在光致相变后相干声子振荡快速衰减的微观机理。他们利用含时...